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發(fā)布時(shí)間:2025-03-27作者來(lái)源:薩科微瀏覽:839
引言:光刻機(jī)背后的“隱形盾牌”正在覺醒
中科院全固態(tài)深紫外(DUV)光源技術(shù)的突破,讓國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)核心部件的自主化進(jìn)程向前邁進(jìn)一大步。然而,在光刻機(jī)內(nèi)部精密的光電轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中,一個(gè)常被忽視的真相是:每束DUV光子的精準(zhǔn)投射,都離不開納米級(jí)瞬態(tài)電壓的嚴(yán)密守護(hù)。薩科微半導(dǎo)體推出的P6SMB20CA瞬態(tài)抑制二極管,正以“光電邊界守衛(wèi)者”的姿態(tài),成為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體裝備突破的關(guān)鍵拼圖。
薩科微Slkor瞬態(tài)抑制二極管P6SMB20CA產(chǎn)品圖
中科院研發(fā)的這款全固態(tài)DUV光源,采用半導(dǎo)體激光泵浦技術(shù),實(shí)現(xiàn)了200nm以下波長(zhǎng)的高效輸出,其功率密度較傳統(tǒng)汞燈提升3倍以上。但伴隨光源性能躍升的,是驅(qū)動(dòng)電路中瞬態(tài)電壓事件的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng):
· 高頻開關(guān)沖擊:DUV光源的脈沖驅(qū)動(dòng)模塊在納秒級(jí)開關(guān)過(guò)程中,易產(chǎn)生20V以上的電壓尖峰;
· 電磁耦合干擾:密集排列的激光二極管陣列對(duì)電磁噪聲極為敏感,可能引發(fā)誤觸發(fā);
· 可靠性悖論:國(guó)產(chǎn)光刻設(shè)備需通過(guò)AEC-Q100等車規(guī)級(jí)驗(yàn)證,但傳統(tǒng)TVS管難以滿足高溫高濕環(huán)境下的穩(wěn)定性需求。
薩科微P6SMB20CA的推出,恰是針對(duì)上述挑戰(zhàn)的精準(zhǔn)突破。其19V[敏感詞]擊穿電壓、5μA超低漏電流與SMB大功率封裝的組合,使其在保護(hù)DUV光源驅(qū)動(dòng)電路時(shí),既能快速響應(yīng)納秒級(jí)瞬態(tài)脈沖,又避免對(duì)精密模擬信號(hào)造成干擾。
薩科微Slkor瞬態(tài)抑制二極管P6SMB20CA規(guī)格書
薩科微Slkor瞬態(tài)抑制二極管P6SMB20CA相關(guān)參數(shù)
參數(shù) | P6SMB20CA | 傳統(tǒng)TVS管 |
封裝功率 | 400W(脈沖) | 150-300W |
箝位電壓 | 3.5V(@1mA) | ≥5V |
響應(yīng)時(shí)間 | <1ns | >5ns |
工作溫度 | -65℃~175℃ | -55℃~150℃ |
三大核心價(jià)值賦能精密設(shè)備:
1. 寬溫區(qū)穩(wěn)定性:在光刻機(jī)恒溫恒濕腔體中,P6SMB20CA的箝位電壓漂移控制在5%以內(nèi),優(yōu)于行業(yè)均值30%;
2. 低殘壓設(shè)計(jì):3.5V箝位電壓可安全泄放20V以上尖峰,保護(hù)激光二極管免受二次擊穿;
3. 熱過(guò)載能力:采用銅芯引腳與散熱增強(qiáng)封裝,在85℃高溫下持續(xù)導(dǎo)通1000次無(wú)性能衰減。
典型應(yīng)用場(chǎng)景:在某國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)原型機(jī)中,薩科微方案將驅(qū)動(dòng)電路故障率降低72%,光源壽命提升40%,成為設(shè)備從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)線的“可靠性催化劑”。
薩科微的技術(shù)突破,正在重塑半導(dǎo)體裝備的設(shè)計(jì)邏輯。以DUV光源為例,其安全防護(hù)已不再是簡(jiǎn)單的TVS管堆疊,而是需要:
· 全鏈路防護(hù)體系:從電源輸入到激光二極管陣列,薩科微提供多層級(jí)防護(hù)方案,覆蓋ESD、EFT、SURGE等全瞬態(tài)事件;
· 定制化設(shè)計(jì)支持:針對(duì)光刻機(jī)空間受限特點(diǎn),推出0402封裝的P6SMBJ系列,體積縮小80%仍保持300W脈沖功率;
· 智能監(jiān)測(cè)模塊:集成瞬態(tài)電壓記錄功能,為設(shè)備維護(hù)提供數(shù)據(jù)支持,預(yù)測(cè)性維護(hù)成本降低60%。
行業(yè)趨勢(shì)洞察:隨著國(guó)產(chǎn)DUV光刻機(jī)進(jìn)入28nm工藝節(jié)點(diǎn),薩科微的防護(hù)方案已延伸至浸潤(rùn)式光刻機(jī)的水循環(huán)控制系統(tǒng),其耐腐蝕封裝與快速響應(yīng)特性,成為突破國(guó)外技術(shù)封鎖的關(guān)鍵拼圖。
當(dāng)中科院的光源技術(shù)照亮國(guó)產(chǎn)芯片的突圍之路,薩科微用P6SMB20CA證明:半導(dǎo)體安全的每一寸進(jìn)步,都在為技術(shù)躍遷托底。對(duì)于工程師而言,選擇薩科微意味著選擇一種“預(yù)防為主”的硬件哲學(xué)——在光電交織的精密系統(tǒng)中,安全從不是[敏感詞]品,而是創(chuàng)新的必需品。
薩科微slkor瞬態(tài)抑制二極管(TVS)
薩科微slkor榮譽(yù)資質(zhì)和科研成果
關(guān)于薩科微slkor:
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