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聊聊高壓CMOS工藝
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數(shù): 1713
高壓CMOS (HVCMOS) 是一種專門為處理高電壓應(yīng)用而設(shè)計(jì)的CMOS技術(shù)。HVCMOS技術(shù)因其能夠處理高壓且同時(shí)具備低壓CMOS電路的所有優(yōu)勢,使其在現(xiàn)代電子設(shè)備的各個(gè)領(lǐng)域中成為不可或缺的技術(shù)。無論是電源管理、汽車電子還是其他需要高壓處理的場景,HVCMOS都提供了一種高效、可靠的解決方案。 1. 基礎(chǔ)CM……
晶圓制造之化學(xué)氣相沉積CVD工藝
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數(shù): 1918
在制造集成電路時(shí),有時(shí)候我們需要在硅片(也就是晶圓)表面上沉積一些特定的材料層,比如氮化硅(Si?N?)或氮氧化硅(SiON)。這些材料層不能直接從基板上生成,所以我們采用化學(xué)氣相沉積(CVD)這種方法。 CVD的原理是:我們將含有所需元素的氣體引入到反應(yīng)室中,然后通過加熱讓這些氣體分解。雖然氣體不直接與晶圓表面……
寸土寸金的晶圓為啥要留平邊(flat)或凹槽(notch)?
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數(shù): 3274
晶圓上留下的平邊(flat)或凹槽(notch)主要用于幫助在制造和處理過程中確定晶圓的類型、摻雜和晶向等信息。 1. 晶圓的晶向識(shí)別 硅晶圓是由單晶硅錠通過切片制成的,硅晶錠的晶向(晶體結(jié)構(gòu)排列的方向)對于半導(dǎo)體器件的性能和加工工藝非常重要。 晶向包括常見的(100)、(110)和(111)晶向,不……
一文讀懂先進(jìn)封裝的四大要素?TSV、Bump、RDL、wafer
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數(shù): 3276
先進(jìn)封裝的四大要素——TSV(硅通孔)、Bump(凸點(diǎn))、RDL(重布線層)、Wafer(晶圓)——在現(xiàn)代半導(dǎo)體封裝中扮演了核心角色。它們在封裝工藝中各自承擔(dān)的功能,從不同維度推動(dòng)了芯片小型化、集成度和性能的提升。 1. Wafer(晶圓):基礎(chǔ)材料和封裝載體 Wafer 是先進(jìn)封裝的基礎(chǔ),作為芯片……
聊聊光刻機(jī)的原理、現(xiàn)狀與未來
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數(shù): 3217
光刻機(jī)是半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵設(shè)備,相當(dāng)于芯片制造工藝的“印刷機(jī)”,它的精度直接影響芯片的制程和性能。 根據(jù)不同光源類型,光刻機(jī)可以分為UV(紫外線)、DUV(深紫外線)和EUV(極紫外線)三大類。光刻機(jī)的分辨率主要由兩個(gè)參數(shù)決定:光源的波長(λ)和物鏡系統(tǒng)的數(shù)值孔徑(NA)。簡單來說,波……
先進(jìn)封裝核心技術(shù)之一:TSV
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數(shù): 1431
在先進(jìn)封技術(shù)中,TSV(Through-Silicon Via,硅通孔)是一種關(guān)鍵的垂直互連技術(shù),它通過在芯片內(nèi)部打通的通道實(shí)現(xiàn)了電氣信號的垂直傳輸。TSV可以顯著提高芯片之間的數(shù)據(jù)傳輸效率,減少信號延遲,降低功耗,并提升封裝的集成密度。以下是對TSV技術(shù)的詳細(xì)解釋。 1. TSV的基本概念 TSV 是一種……
芯片設(shè)計(jì)之功能邏輯仿真
  • 更新日期: 2024-09-11
  • 瀏覽次數(shù): 1280
Functional Logic Simulation可以看作是芯片設(shè)計(jì)的“邏輯驗(yàn)證”階段,確保設(shè)計(jì)功能如預(yù)期工作。它的主要目的是在時(shí)序無關(guān)的情況下,確認(rèn)芯片的邏輯結(jié)構(gòu)是否正確。這個(gè)步驟幫助工程師在芯片制造之前,發(fā)現(xiàn)并修正設(shè)計(jì)中的邏輯錯(cuò)誤。
為啥6寸晶圓用平邊,8/12寸晶圓用notch?
  • 更新日期: 2024-09-11
  • 瀏覽次數(shù): 2364
最近讀者提問:“6寸晶圓用平邊,8/12寸晶圓用notch,用Notch 比平邊好,為啥6寸還是用平邊”這個(gè)問題時(shí),我們可以從晶圓制造、工藝要求、歷史原因和設(shè)備兼容性等多個(gè)角度進(jìn)行分析。
聊聊晶圓和芯片量產(chǎn)階段的full-mask
  • 更新日期: 2024-09-06
  • 瀏覽次數(shù): 2608
在集成電路工藝中,“full-mask”是一個(gè)關(guān)鍵概念,它涉及到半導(dǎo)體制造過程中掩模版的使用。掩模版是半導(dǎo)體光刻工藝中用于硅片表面圖案化的光學(xué)工具。掩模版上有微小的圖案,這些圖案將通過光刻過程轉(zhuǎn)移到硅片的光刻膠上,從而定義了芯片的功能區(qū)和布線層。
SOI晶圓的結(jié)構(gòu)、分類、優(yōu)勢、下游應(yīng)用
  • 更新日期: 2024-09-02
  • 瀏覽次數(shù): 2052
SOI(Silicon-On-Insulator)是一種半導(dǎo)體制造技術(shù),其中硅晶圓的一部分被絕緣層(通常是二氧化硅)隔離開來,這樣可以有效地減少寄生電容和漏電流,提升器件性能。
如何理解晶圓制造的良率(Yield)
  • 更新日期: 2024-08-27
  • 瀏覽次數(shù): 2659
在晶圓制造中,良率的管理和提升是一個(gè)復(fù)雜而持續(xù)的過程,需要在工藝、設(shè)計(jì)、材料、設(shè)備等多個(gè)方面進(jìn)行綜合的優(yōu)化和管理。通過數(shù)據(jù)的分析、持續(xù)改進(jìn)的策略、客戶協(xié)同的優(yōu)化,最終實(shí)現(xiàn)良率的最大化,提高產(chǎn)品質(zhì)量和產(chǎn)線效率。
萬物智聯(lián)時(shí)代,RISC-V與AI的融合之路該如何走?
  • 更新日期: 2024-08-21
  • 瀏覽次數(shù): 1902
在全球科技飛速發(fā)展的背景下,RISC-V與人工智能(AI)的結(jié)合成為了業(yè)內(nèi)關(guān)注的焦點(diǎn),8月19日,第四屆滴水湖中國RISC-V產(chǎn)業(yè)論壇在上海臨港滴水湖畔召開,北京大學(xué)講席教授、RISC-V國際基金會(huì)人工智能與機(jī)器學(xué)習(xí)專委會(huì)主席謝濤發(fā)表了《萬物智聯(lián)時(shí)代RISC-V+AI之路》演講,分析了RISC-V與AI技術(shù)的結(jié)合及其發(fā)……

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